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TCU10A60	文件：52.09 Kbytes Page：5 Pages	FRD - For Power Factor Improvement High Frequency Rectification FEATURES DualDiodes–CathodeCommon Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop HighSurgeCapability	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
TCU10A60-11A	文件：182.69 Kbytes Page：1 Pages	FRED FRED 10AAvg.600Volts	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
TCU10A60_15	文件：177.73 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NI National Instruments Inc.	NI
TCU10A60-11A_15	文件：182.69 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NI National Instruments Inc.	NI
TK10A60D	文件：164.35 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.58Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK10A60D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK10A60D	文件：319.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK10A60D	文件：319.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.72Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK10A60W	文件：1.07069 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TK10A60W	文件：246.69 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS?? Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.327Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TCU10A60
制造商：
NIEC
制造商全称：
Nihon Inter Electronics Corporation
功能描述：
FRD - For Power Factor Improvement High Frequency Rectification

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