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AML1005H5N6STS	文件：176.65 Kbytes Page：16 Pages	NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain FEATURES •TheNESG3033M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@VCE=2V,IC=15mA,f=2.0GHz •SiGeHBTtechnology(UHS3)adopted:fmax=110GHz •Thisproduct	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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AML1005H5N6STS

文件：176.65 Kbytes

Page：16 Pages

NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-Gain

FEATURES •TheNESG3033M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@VCE=2V,IC=15mA,f=2.0GHz •SiGeHBTtechnology(UHS3)adopted:fmax=110GHz •Thisproduct

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