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AML1005H5N6STS	文件：176.65 Kbytes Page：16 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain FEATURES • The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz • SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz • This product 文件：176.65 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
AML6236-VH-B	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP216	AMLOGIC 晶晨股份上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	AMLOGIC
AML7215	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP	AMLOGIC 晶晨股份上传：上海鑫科润电子科技有限公司	AMLOGIC
AML8726-M	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	AMLOGIC 晶晨股份上传：富凯科技(深圳）有限公司	AMLOGIC
AML8726-MX	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	AMLOGIC 晶晨股份上传：富凯科技(深圳）有限公司	AMLOGIC

详细参数

型号：
AML1005H5N6STS
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市明嘉莱科技有限公司	AML1005H5N6STS	FDK	25+	INDUCTOR	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	AML1005H5N6STS	FDK	23+	SMD-0402	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市欧立现代科技有限公司	AML1005H6N8JT	FDK	24+	NA	3500	原装现货,可开13%税票	询价
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更多AML1005H5N6STS供应商更新时间2026-2-9 16:55:00

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