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JTDB75数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

JTDB75

参数属性

JTDB75 封装/外壳为55AW;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW

功能描述

Trans RF BJT NPN 55V 8A 3-Pin Case 55AW-1

封装外壳

55AW

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-16 17:26:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :JTDB75

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :3.5V

  • Maximum DC Collector Current Range

    :8 to 100A

  • Maximum DC Collector Current

    :8A

  • Maximum Collector Emitter Voltage Range

    :50 to 60V

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :55V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
XP
23
DIP
55000
原厂渠道原装正品假一赔十
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23+
TO-59
8510
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2022+
55AW
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24+
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23+
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13000
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24+
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