JTDB75分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
JTDB75 |
| 参数属性 | JTDB75 封装/外壳为55AW；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW |
| 功能描述 | 75 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz |
| 封装外壳 | 55AW |
| 文件大小 |
131.97 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-1 17:26:00 |
| 人工找货 | JTDB75价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
JTDB75规格书详情
JTDB75属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美公司制造生产的JTDB75晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
GENERAL DESCRIPTION
The JTDB75 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.
产品属性
更多- 产品编号：
JTDB75
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
- 频率 - 跃迁：
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益：
7dB ~ 8.2dB
- 功率 - 最大值：
220W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
8A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55AW
- 供应商器件封装：
55AW
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XP |
23 |
DIP |
55000 |
原厂渠道原装正品假一赔十 |
询价 | ||
ETC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
55AW |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
GHZ |
24+ |
140 |
现货供应 |
询价 | |||
XP |
23+ |
DIP |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
GHZ |
23+ |
1688 |
房间现货库存:QQ:373621633 |
询价 | |||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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询价 | ||
XP |
2021+ |
DIP |
11000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
GHZTECH |
23+ |
NA |
39960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 |
