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JT015N120ABCD-AB-O-N-B	文件：985.35 Kbytes Page：10 Pages	General purpose inverters	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JT015N120ANAD	文件：1.26472 Mbytes Page：11 Pages	IGBT	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
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JT015N120WCD	文件：985.35 Kbytes Page：10 Pages	Generalpurposeinverters	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JT015N120WCD-W-O-N-B	文件：985.35 Kbytes Page：10 Pages	Generalpurposeinverters	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
TW015N120C	文件：528.55 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconCarbideN-ChannelMOS Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=15m Ω(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage:	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

更多JT015N120ABCD-AB-O-N-B供应商更新时间2024-4-30 14:49:00