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MMD65R380QRH	文件：2.85431 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMD65R380QRH	文件：353.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF65R380Q	文件：1.26024 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF65R380QTH	文件：1.26024 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMP65R380Q	文件：1.30099 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMP65R380QTH	文件：1.30099 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
SLF65R380SS	文件：986.2 Kbytes Page：6 Pages	650VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI
TPA65R380C	文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司	WUMC
TPA65R380C	文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司	WUMC
TPA65R380D	文件：710.35 Kbytes Page：11 Pages	650VSuper-junctionPowerMOSFET Description 650VSuper-junctionPowerMOSFET Super-junctionpowerMOSFETisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs，designedaccordingtotheSJprinciple.ThedeeptrenchSJMOSFETprovideanextremelylowswitching,communicationandconductionlossesdevicewithhighestrobustness	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司	WUMC

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