订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>JS28F512P33BFD>芯片详情
JS28F512P33BFD 集成电路(IC)存储器 MICRON/镁光
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:JS28F512P33BFD品牌:Micron
JS28F512P33BFD是集成电路(IC) > 存储器。制造商Micron/Micron Technology Inc.生产封装56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)的JS28F512P33BFD存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
产品属性
- 类型
描述
- 产品编号:
JS28F512P33BFD
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
- 系列:
Axcell™
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
FLASH - NOR
- 存储容量:
512Mb(32M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
105ns
- 电压 - 供电:
2.3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
56-TSOP
- 描述:
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
供应商
- 企业:
兆亿微波(北京)科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
魏小姐
- 手机:
13718660290
- 询价:
- 电话:
010-82888379
- 地址:
北京市海淀区上地五街16号1幢4层4110室
相近型号
- JS28F512P33T95
- JS28F512P30TF
- JS28F512P33TF
- JS28F512P30EFE
- JS28F512P33TFA
- JS28F512P30EFA
- JS28F512P30EF0
- JS28F512P33TFE
- JS28F512P30EF
- JS28F640
- JS28F512P30BFE
- JS28F64033D75
- JS28F512P30BFA
- JS28F640C115S01
- JS28F512P30BF
- JS28F640C3TC80
- JS28F512P30B95
- JS28F640-C3TC80
- JS28F512P30B
- JS28F640C3TD70
- JS28F512M29EWLQS
- JS28F640J3115
- JS28F512M29EWLE
- JS28F640J3A115
- JS28F512M29EWLD
- JS28F640J3A1234567
- JS28F512M29EWLBTR
- JS28F640J3A150
- JS28F512M29EWLB
- JS28F640J3C
- JS28F640J3C115
- JS28F512M29EWLAIC
- JS28F640-J3C115
- JS28F640J3C-115
- JS28F512M29EWLA
- JS28F640J3C115A
- JS28F512M29EWL0
- JS28F640J3C115ES
- JS28F512M29EWL
- JS28F640J3C115SB48
- JS28F512M29EWHQS
- JS28F640J3C120
- JS28F512M29EWHQLZ6
- JS28F640J3C-120
- JS28F512M29EWHIC
- JS28F640J3C75
- JS28F512M29EWHES
- JS28F640J3D
- JS28F512M29EWHE
- JS28F640J3D115