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JN	文件：692.73 Kbytes Page：5 Pages	型号：1SMA58；SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
JN	文件：60.76 Kbytes Page：5 Pages	型号：BZX84C3V6CC；Package：SOT-23；350mW SURFACE MOUNT DUAL ZENER DIODE DualZenerDiodesinCommonCathode 350mWPowerDissipation 2.4V–75VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance DesignedforSurfaceMountApplication PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
JN	文件：2.048949 Mbytes Page：28 Pages	型号：MUZ15V；Package：USM；Zener Diode Silicon Epitaxial Planar Applications (1)Voltagesurgeprotection Features (1)Smallpackage (2)ThetypicalvoltageofVZisaccordedtoE24series.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
JN	文件：111.34 Kbytes Page：6 Pages	型号：P4SMAJ36；Package：SMA；400W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR GlassPassivatedDieConstruction 400WPeakPulsePowerDissipation 5.0V–440VStandoffVoltage Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingVoltage TypicalResponseTime	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
JN	文件：1.19459 Mbytes Page：5 Pages	型号：SMA160A；SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE VOLTAGERANGE:5.0-440VPOWER:400Watts Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
JN	文件：301.26 Kbytes Page：5 Pages	型号：SMAJ30；Package：DO-214AC；SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE Features GlassPassivatedDieConstruction Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticMaterial:ULFlammability ClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
JN	文件：289.97 Kbytes Page：6 Pages	型号：BU4845；Package：SSOP5；Low Voltage Detector IC	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
JN	文件：266.76 Kbytes Page：9 Pages	型号：BU4845；Low Voltage Standard CMOS Voltage Detector IC Series	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
JN	文件：405.58 Kbytes Page：16 Pages	型号：BU4845；Package：SSOP5；Low Voltage Standard CMOS Voltage Detector ICs Ultra-low current consumption	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
JN	文件：295.75 Kbytes Page：6 Pages	型号：BU4845；Package：SSOP5；WSILICON MONOLITHIC INTEGRATDE CIRCUIT	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
JN
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 58V 400W
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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