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PR2007	文件：134.32 Kbytes Page：2 Pages	2.0AFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
PR2007G	文件：373.31 Kbytes Page：3 Pages	2.0AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PR2007G	文件：62.32 Kbytes Page：2 Pages	2.0AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •FastSwitchingforHighEfficiency •SurgeOverloadRatingto80APeak •LowReverseLeakageCurrent •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PR2007G	文件：134.29 Kbytes Page：2 Pages	2.0AGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
PR2007G	文件：266.51 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIERDIODES VOLTAGERANGE:50-1000VCURRENT:2.0A Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●DiffusedJunction ●FastSwitchingforHighEfficiency ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto80APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●PlasticMaterial:ULFla	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
PR2007G-T	文件：373.31 Kbytes Page：3 Pages	2.0AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PS2007B	文件：84.29 Kbytes Page：3 Pages	PHOTOCOUPLER DESCRIPTION ThePS2007BisahighspeedphotocouplercontainingaGaAsPlightemittingdiodeandanintegrateddetectorconsistingofphotodiodeandahighgainlinearamplifierthatdriversaschottkyclampedopencollectoroutputtransistorinaplasticDIP(DualIn-LinePackage). FEATURES ●	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
QL2007	文件：299.98 Kbytes Page：10 Pages	3.3Vand5.0VpASIC2FPGACombiningSpeed,Density,LowCostandFlexibility [QUICKLOGIC] PRODUCTSUMMARY TheQL2007isa7,000usableASICgate,11,000usablePLDgatememberofthepASIC2familyofFPGAs.pASIC2FPGAsemployauniquecombinationofarchitecture,technology,andsoftwaretoolstoprovidehighspeed,highusabledensity,lowprice,andflexibilityint	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
R2007	文件：276.99 Kbytes Page：2 Pages	20.0AMPSILICONRECTIFIERS	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RBU2007M	文件：162.47 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT20Amperes FEATURES Lowleakage Lowforwardvoltage Surgeoverloadrating:300amperespeak Mountingposition:Any Idealforprintedcircuitboards Highforwardsurgecurrentcapability	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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深圳市星辰微电科技有限公司	JMTK2007A	捷捷微	23+	TO-252-3L	68000	捷捷微全系列供应,支持终端生产	询价
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