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NP80N06DLD	文件：171.96 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=13mW(MAX.)(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=17mW(MAX.)(VGS=5V,ID=40A) ·LowCiss:Ciss=2360pF(TYP.) ·Built-inGateprotectiond	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06ELC	文件：235.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·Channeltemperature175degreerated ·Superlowon-stateresistance RDS(on)1=15mWMAX.(VGS=10V,ID=40	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06ELD	文件：307.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N06ELD	文件：171.96 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=13mW(MAX.)(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=17mW(MAX.)(VGS=5V,ID=40A) ·LowCiss:Ciss=2360pF(TYP.) ·Built-inGateprotectiond	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06MLG	文件：333.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N06MLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06MLG	文件：994.69 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N06MLG	文件：355.07 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N06MLG,NP80N06NLG,andNP80N06PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance -NP80N06MLG,NP80N06NLG RDS(on)1=8.6mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06NLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06NLG	文件：355.07 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N06MLG,NP80N06NLG,andNP80N06PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance -NP80N06MLG,NP80N06NLG RDS(on)1=8.6mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘扬芯城科技有限公司	JMTC80N06A	JJW(捷捷微)	2024+	TO-220	12815	诚信服务,绝对原装原盘	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	JMTC80N06A	捷捷微	23+	TO-220C-3L	68000	捷捷微全系列供应,支持终端生产	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	JMTC80N06A		24+	N/A	60000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市芯皇电子有限公司	JMTC80N06A	捷捷微	23+	TO-220C-3L	50000	专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	JMTC80N06A	JJW	25+	N/A	14209	原装现货17377264928微信同号	询价
深圳市祥瑞智科技有限公司	JMTE035N06D	JJW捷捷微	25+	TO-263	8310	原厂原装,价格优势	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	JMTE035N06D	JJW/捷捷微	22+	TO-263	59028	原装正品	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	JMTE035N06D	JJW	2342	TO-263	20000	原装正品价格优惠,志同道合共谋发展	询价
深圳市宏誉半导体有限公司	JMTE035N06D	JJW	2218	TO-263	59228	全新原装	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	JMTE035N06D	JJW	24+	TO-263	10000	只有原装	询价

更多JMTC80N06A供应商更新时间2025-7-28 18:30:00

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