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N0300N	文件：259.769 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheN0300Nisaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •4.5Vdrive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
N0300P	文件：262.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheN0300Pisaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlyby a4.5Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchas powerswitc	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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P0300A	文件：201.71 Kbytes Page：4 Pages	Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微电江苏捷捷微电子股份有限公司	JIEJIE
P0300AMBS	文件：196.72 Kbytes Page：4 Pages	Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微电江苏捷捷微电子股份有限公司	JIEJIE
P0300DM	文件：2.90116 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge Quickresponsetosurgevoltage(nsLevel) Eliminatesovervoltagecausedbyfastrisingtransients Moisturesensitivitylevel:Level1 Weight69mg(approximate) Nondegenerative ResponseTimeis	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

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