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JCS8N60VC-O-V-N-B	文件：1.42253 Mbytes Page：14 Pages	High frequency switching mode power supply APPLICATIONS 1.Highefficiencyswitchmodepowersupplies 2.Electroniclampballastsbasedonhalfbridge 3.UPS FEATURES 1.Lowgatecharge 2.LowCrss(typical23pF) 3.Fastswitching 4.100avalanchetested 5.Improveddv/dtcapability 6.RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JMP8N60B	文件：349.158 Kbytes Page：11 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KF8N60	文件：1.10755 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KF8N60F	文件：584.89 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF8N60F	文件：83.68 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF8N60P	文件：1.10751 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KF8N60P	文件：83.68 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KIA8N60HF	文件：192.03 Kbytes Page：6 Pages	商品目录MOS(场效应管) 连续漏极电流（Id）（25°C时）7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）600V 栅源极阈值电压4V@250uA 漏源导通电阻1.2Ω@3.75A,10V 类型N沟道最大功率耗散（Ta）48W(Tc)	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
KP8N60D	文件：393.33 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,I	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KP8N60F	文件：394.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Suitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmode Powersupplies •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.58Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perfor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多JCS8N60VC-O-V-N-B供应商更新时间2025-7-14 20:41:00

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