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MDF7N65BTH

N-ChannelMOSFET650V,7.0A,1.35(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF7N65BTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

MSF7N65

SimpleDriveRequirement

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MT7N65C

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

MTN7N65CFP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTN7N65FP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

NJ7N65

7.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES VDS=650V ID=7.0A RDS(on)=1.8ohm@VGS=10V Highswitchingspeed 100avalanchetested

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ7N65-BL

7.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES VDS=650V ID=7.0A RDS(on)=1.8ohm@VGS=10V Highswitchingspeed 100avalanchetested

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ7N65F-LI

7.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES VDS=650V ID=7.0A RDS(on)=1.8ohm@VGS=10V Highswitchingspeed 100avalanchetested

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ7N65-LI

7.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES VDS=650V ID=7.0A RDS(on)=1.8ohm@VGS=10V Highswitchingspeed 100avalanchetested

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

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更多JCS7N65REMOS(场效应管)供应商 更新时间2025-5-19 16:29:00