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MTP50N06V	文件：207.07 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP50N06V	文件：112.94 Kbytes Page：2 Pages	TMOSV??PowerFieldEffectTransistor TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50an	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP50N06V	文件：332.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP50N06V	文件：371.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.028Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP50N06VL	文件：195.75 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP50N06VL	文件：208.75 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP50N06VL	文件：1.13263 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
NTD50N06	文件：989.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
OM50N06SA	文件：215.37 Kbytes Page：6 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE DESCRIPTION ThisseriesofhermeticpackagedMOSFETsareideallysuitedforlowvoltageapplications;batterypoweredvoltagepowersupplies,motorcontrols,dctodcconvertersandsynchronousrectification.Thelowconductionlossallowssmallerheatsinkingandthelowgatechargesimplerdr	IRF International Rectifier	IRF
OM50N06ST	文件：215.37 Kbytes Page：6 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE DESCRIPTION ThisseriesofhermeticpackagedMOSFETsareideallysuitedforlowvoltageapplications;batterypoweredvoltagepowersupplies,motorcontrols,dctodcconvertersandsynchronousrectification.Thelowconductionlossallowssmallerheatsinkingandthelowgatechargesimplerdr	IRF International Rectifier	IRF

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