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JCS4N60VB-O-V-N-B	文件：2.01393 Mbytes Page：18 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS HighefficiencyswitchmodepowersuppliesElectroniclampballastsbasedonhalfbridgeUPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical14pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS4N60VC-O-I-N-B	文件：963.27 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS HighefficiencyswitchmodepowersuppliesElectroniclampballastsbasedonhalfbridgeUPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical14pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS4N60VC-O-V-N-B	文件：963.27 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS HighefficiencyswitchmodepowersuppliesElectroniclampballastsbasedonhalfbridgeUPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical14pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS4N60VE-V-B	文件：780.96 Kbytes Page：13 Pages	JCS4N60E APPLICATIONS Highfrequencyswitching modepowersupply Electronicballast LEDpowersupply FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical2.5pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS4N60V-O-V-N-B	文件：1.97826 Mbytes Page：16 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JMP4N60A	文件：273.065 Kbytes Page：11 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
K4N60LV	文件：1.07754 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KF4N60D	文件：393.15 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=3.2A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF4N60D	文件：393.15 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=3.2A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF4N60D	文件：1.07622 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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