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JCS10N65T	文件：1.05698 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JMP10N65C	文件：272.746 Kbytes Page：9 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KSM10N65	文件：692.55 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB10N65	文件：699.39 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF10N65	文件：738.74 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LMFB10N65	文件：5.45133 Mbytes Page：5 Pages	650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MDF10N65B	文件：931.63 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,10.0A,1.0(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF10N65BTH	文件：931.63 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,10.0A,1.0(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF10N65BTH	文件：322.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MPCF10N65A	文件：562.83 Kbytes Page：5 Pages	ZeroReverseRecoveryCurrent Features ZeroReverseRecoveryCurrent ZeroForwardRecoveryVoltage TemperatureindependentSwitchingBehavior PositiveTemperatureCoefficientonVF Highspeedswitchingpossible Highsurgecurrentcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) MotorDrives PowerFactorCor	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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