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LMFB10N65	文件：5.45133 Mbytes Page：5 Pages	丝印：AP10N65F；Package：TO-220F；650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：5.45133 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMFB10N65	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET场效应管	Leiditech 雷卯电子	Leiditech
MDF10N65B	文件：931.63 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 650V, 10.0A, 1.0(ohm) 文件：931.63 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF10N65BTH	文件：931.63 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 650V, 10.0A, 1.0(ohm) 文件：931.63 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF10N65BTH	文件：322.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.0Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多LMFB10N65供应商更新时间2025-10-11 19:24:00