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JBPEA	文件：590.82 Kbytes Page：8 Pages	型号：IRLML2030TR；Package：SOT-23；Load/ System Switch Features VDS (V) = 30V RDS(ON) 文件：590.82 Kbytes 页数：8 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
JBPEA	文件：390.17 Kbytes Page：8 Pages	型号：IRLML2030TR；Package：SOT-23；MOSFET Features VDS (V) = 30V RDS(ON) 文件：390.17 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI

详细参数

型号：
JBPEA
功能描述：
MOSFET MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多JBPEA供应商更新时间2025-8-7 16:52:00

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