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JANTXV2N6308数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
JANTXV2N6308 |
| 参数属性 | JANTXV2N6308 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 350V 8A TO204AA |
| 功能描述 | NPN Silicon Power 250V to 350V, 8A |
| 封装外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-17 23:01:00 |
| 人工找货 | JANTXV2N6308价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
JANTXV2N6308规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for NPN silicon, power 2N6306 and 2N6308 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/498.
特性 Features
The device packages for the encapsulated device types are as follows: Case mount TO-204AA (formerly TO-3), case mount TO-254AA (T1) and case mount TO-257AA (T3).
简介
JANTXV2N6308属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的JANTXV2N6308晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：JANTXV2N6308
- 生产厂家
：Microchip
- package_carrier
：Tray
- package_name
：TO-3
- Output Capacitance (min)
：-
- Output Capacitance (typ)
：-
- Output Capacitance (max)
：-
- Input Capacitance (min)
：-
- Input Capacitance (typ)
：-
- Input Capacitance (max)
：-
- Junction Temperature (掳C) (min)
：0
- Junction Temperature (掳C) (typ)
：0
- Junction Temperature (掳C) (max)
：200
- Collector-Emitter Voltage (Base Open) (min)
：0
- Collector-Emitter Voltage (Base Open) (typ)
：0
- Collector-Emitter Voltage (Base Open) (max)
：350
- Emitter-Base Voltage (Collector Open) (min)
：-
- Emitter-Base Voltage (Collector Open) (typ)
：-
- Emitter-Base Voltage (Collector Open) (max)
：-
- Collector to Emitter Saturation Voltage (min)
：-
- Collector to Emitter Saturation Voltage (typ)
：-
- Collector to Emitter Saturation Voltage (max)
：-
- Thermal Resistance (min)
：-
- Thermal Resistance (typ)
：-
- Thermal Resistance (max)
：-
- Junction to Case (掳C/W) (min)
：-
- Junction to Case (掳C/W) (typ)
：-
- Junction to Case (掳C/W) (max)
：-
- Collector Current (dc) (min)
：0
- Collector Current (dc) (typ)
：0
- Collector Current (dc) (max)
：8
- Collector to Base Voltage (Emitter Open) (min)
：-
- Collector to Base Voltage (Emitter Open) (typ)
：-
- Collector to Base Voltage (Emitter Open) (max)
：-
- Power Dissipation (min)
：-
- Power Dissipation (typ)
：-
- Power Dissipation (max)
：-
- Junction to Ambient (掳C/ (min)
：-
- Junction to Ambient (掳C/ (typ)
：-
- Junction to Ambient (掳C/ (max)
：-
- Surface Mount Junction t (min)
：-
- Surface Mount Junction t (typ)
：-
- Surface Mount Junction t (max)
：-
- DC Current Gain (min)
：12
- DC Current Gain (typ)
：0
- DC Current Gain (max)
：60
- Forward Current Transfer Ratio (Magnitude of (min)
：-
- Forward Current Transfer Ratio (Magnitude of (typ)
：-
- Forward Current Transfer Ratio (Magnitude of (max)
：-
- Breakdown Voltage (min)
：-
- Breakdown Voltage (typ)
：-
- Breakdown Voltage (max)
：-
- Collector-Base (Emitter O (min)
：-
- Collector-Base (Emitter O (typ)
：-
- Collector-Base (Emitter O (max)
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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