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JANTXV2N6212数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
JANTXV2N6212 |
| 参数属性 | JANTXV2N6212 封装/外壳为TO-213AA，TO-66-2；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 300V 0.005A TO66 |
| 功能描述 | PNP Silicon High-Power -60V to -80V, -2A |
| 封装外壳 | TO-213AA，TO-66-2 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-18 10:38:00 |
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JANTXV2N6212规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for PNP silicon, high-voltage, 2N6211, 2N6212, 2N6213 and 2N6213A transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) as specified in MIL-PRF-19500/461. Two levels of product assurance are provided for each unencapsulated device (JANHC and JANKC).
特性 Features
The device package outlines are as follows: TO-66 for all encapsulated device types.
The dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/461.
简介
JANTXV2N6212属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的JANTXV2N6212晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
JANTXV2N6212
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/461
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 125mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 1A，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 200°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
- 供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
- 描述：
TRANS PNP 300V 0.005A TO66
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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