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JANTXV2N3585

NPN Silicon High-Power 250V to 300V, 2A

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N3584 and 2N3585 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for this device type as specified in MIL-PRF-19500/384. The device package for the encapsulated device type are as follows: (TO-66).;

Microchip

微芯科技

JANTXV2N3585

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

文件:65.319 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTXV2N3585

Package:TO-213AA,TO-66-2;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 2A TO66

MICROCHIP

微芯科技

2N3585

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

文件:65.319 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3585

5 Amp, 500V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors

文件:64.11 Kbytes 页数:3 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3585

COMPLEMENTARY MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS

文件:224.71 Kbytes 页数:4 Pages

BOCA

博卡

产品属性

  • 产品编号:

    JANTXV2N3585

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/384

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    750mV @ 125mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    5mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 1A,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    TRANS NPN 300V 2A TO66

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MICROSEMI
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更多JANTXV2N3585供应商 更新时间2026-2-3 10:15:00