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JANTXV1N914UR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-213AA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
1N914	文件：51.41 Kbytes Page：8 Pages	High-speeddiode DESCRIPTION The1N914isahigh-speedswitchingdiodefabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinahermeticallysealedleadedglassSOD27(DO-35)package. FEATURES •HermeticallysealedleadedglassSOD27(DO-35)package •Highswitchingspeed:max.4ns •Continuousreversevoltage	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
1N914	文件：47.53 Kbytes Page：1 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Fastswithchingdiodes •1N4149,1N4447,1N4449arealsoavaibleinglasscaseDO-34	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司
1N914	文件：29.53 Kbytes Page：1 Pages	SMALLSIGNALDIODE FEATURES ♦SiliconEpitaxialPlanarDiode ♦Forgeneralpurposeandswitching.	GE GE Industrial Company
1N914	文件：23.71 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODES Features SiliconEpitaxialPlanarDiodes forgeneralpurposeandswitching Thetypes1N4149,1N4447and1N4449arealsoavailable inglasscaseDO-34.	Good-Ark Good-Ark
1N914	文件：68.5 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODE	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
1N914	文件：180.37 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFHIGHSPEEDSWITCHINGDIODES VOLTAGERANGE-50to100VoltsCURRENT-0.075to0.2Ampere FEATURES Siliconepitaxialplanardiodes Lowleakage Lowforwardvoltage Highspeedswitching Highcurrentcapability Highreliability *Lowpowerloss,highefficiency	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
1N914	文件：147.61 Kbytes Page：3 Pages	COMPUTERDIODESwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N914	文件：86.34 Kbytes Page：3 Pages	500mW100VoltSiliconEpitaxialDiodes Features •MoistureSensitivityLevel1 •LowCurrentLeakage •CompressionBondConstruction •LowCost •Marking:Cathodebandandtypenumber •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
1N914	文件：102.66 Kbytes Page：19 Pages	PERFORMANCESPECIFICATION SCOPE Scope.Thisspecificationcoverstheperformancerequirementsforsilicon,diffused,switchingdiodes.ThreelevelsofproductassuranceareprovidedforeachdevicetypeasspecifiedinMIL-PRF-19500.Twolevelsofproductassuranceareprovidedforeachunencapsulateddevice.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N914	文件：138.9 Kbytes Page：1 Pages	DiodeData	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
1N914	文件：61.72 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGDIODE Features ●FastSwitchingSpeed ●HighReliability ●HighConductance ●ForGeneralPurposeSwitchingApplications	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
1N914	文件：53.2 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N914	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
1N914	文件：71.64 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiode-Siliconepitaxialplanartype Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highreliability ●Highspeed(trr	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司
1N914	文件：56.08 Kbytes Page：1 Pages	250mWEPITAXIALPLANARDIODES Features ■PLANARPROCESS ■250mWPOWERDISSIPATION ■INDUSTRYSTANDARDD0-35PACKAGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC
1N914	文件：91.78 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGDIODE FEATURES ●Highreliability ●Highconductance ●Fastswitchingspeed(trr≤4ns) APPLICATIONS ●Forgeneralpurposeswichingapplications	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司
1N914	文件：121.41 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE REVERSEVOLTAGE:75VCURRENT：75mA FEATURES ◇Glasssealedenvelope.(MSD) ◇VRM=100Vguaranteed ◇Highreliability	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1N914	文件：94 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHINGDIODE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N914	文件：174.7 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode Features •Fastswitchingspeed •ElectricallyindenticaltostandardJEDEC •HighConductance •Axialleadpackageideallysuitedforautomaticinsertion	TAITRON TAITRON

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产品属性

产品编号：
JANTXV1N914UR
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/116
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
2.8pF @ 1.5V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-213AA
供应商器件封装：
DO-213AA
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

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