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JANTXV1N3893R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：RECTIFIER	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N3893	文件：756.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3893	文件：147.89 Kbytes Page：8 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6A,12A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N3893	文件：428.92 Kbytes Page：2 Pages	HighPower-FastRecoveryRectifiers Features •HighSurgeCapability •Typesupto400VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
1N3893	文件：140 Kbytes Page：9 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6A,12A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N3893	文件：17.12 Kbytes Page：1 Pages	MECHANICALDATA	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
1N3893	文件：2.0733 Mbytes Page：13 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6/12/16A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N3893	文件：2.04834 Mbytes Page：11 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion) FEATURES •Shortreverserecoverytime •Lowstoredcharge •Widecurrentrange •Excellentsurgecapabilities •StandardJEDEC®types •Studcathodeandstudanodeversions •Fullycharacterizedreverserecoveryconditions •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N3893	文件：88.56 Kbytes Page：3 Pages	HIGHRELIABILITYFASTRECOVERYRECTIFIER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3893	文件：315.41 Kbytes Page：8 Pages	6A,12AAND16AFASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■StandardJEDECtypes ■Studcathodeandstudanodeversions ■Fullycharacterizedreverserecoveryconditions	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
JANTXV1N3893R
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/304
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
115pF @ 10V，1MHz
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AA（DO-4）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
RECTIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多JANTXV1N3893R供应商更新时间2025-7-28 14:39:00

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