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1N4130	文件：181.54 Kbytes Page：2 Pages	500mWLOWNOISESILIONZENERDIODES VOLTAGERANGE1.8to100Volts FEATURES Zenervoltage1.8to100V Lownoise *Lowreverseleakage	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N4130	文件：357.68 Kbytes Page：5 Pages	500mWLowNoiseZenerDiodes Features •LowCurrentOperationat250µA •LowReverseLeakage •LowNoiseCharacteristics •MetallurgicallyBonded •Hightemperaturesolderingguaranteed:260˚C/10seconds •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON	TAITRON
1N4130	文件：212.41 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARLOWNOISEZENERDIODES FEATURES •Lownoise •Lowreverseleakage	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N4130	文件：196.46 Kbytes Page：1 Pages	400MILLIWATTHERMETICALLYSEALEDGLASSSILICONZENERDIODES 400MILLIWATTHERMETICALLYSEALEDGLASSSILICONZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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1N4130	文件：433.58 Kbytes Page：3 Pages	Consolidatedshippingoptions DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N4099seriessiliconZenerdiodeisdesignedforlowleakage,lowcurrent,andlownoiseapplications. MAXIMUMRATINGS:(TA=25°C)SYMBOLUNITS PowerDissipationPD250mW	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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更多JANTX1N4130DURTR供应商更新时间2024-6-22 21:26:00

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