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JANSR2N7411	文件：45.32 Kbytes Page：8 Pages	2.5A, -100V, 1.30 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFET Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticula	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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