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JANSR2N3501L数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

JANSR2N3501L

参数属性

JANSR2N3501L 封装/外壳为TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 150V 0.3A TO5

功能描述

Rad-Hard Transistors
TRANS NPN 150V 0.3A TO5

封装外壳

TO-205AA,TO-5-3 金属罐

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 11:28:00

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JANSR2N3501L规格书详情

描述 Description

\"This family of JANS 2N3498L through JANS 2N3501L epitaxial, planar transistors are military qualified in five RHA (Radiation Hardness Assurance) levels for high-reliability applications.  These devices are also available in TO-39 and low profile surface mount UB packaging.  Microsemi also offers numerous other radiation hardened transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.\"

简介

JANSR2N3501L属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JANSR2N3501L晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    JANSR2N3501L

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/366

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 15mA,150mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AA,TO-5-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-5

  • 描述:

    TRANS NPN 150V 0.3A TO5

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