JANSR2N3439L中文资料Rad-Hard Transistors数据手册Microchip规格书

厂商型号	JANSR2N3439L
参数属性	JANSR2N3439L 封装/外壳为TO-205AA，TO-5-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 350V 2UA TO5
功能描述	Rad-Hard Transistors TRANS NPN 350V 2UA TO5
封装外壳	TO-205AA，TO-5-3 金属罐
制造商	Microchip Microchip Technology
中文名称	微芯科技美国微芯科技公司
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-10-31 10:19:00
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JANSR2N3439L规格书详情

描述 Description

350V, 1A NPN Low Power Silicon Transistor, Radiation Hardened to 100K Rads

简介

JANSR2N3439L属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Microchip制造生产的JANSR2N3439L晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

技术参数

产品编号：
JANSR2N3439L
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/368
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 4mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
2µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 20mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-5
描述：
TRANS NPN 350V 2UA TO5

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