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JANS2N2222AL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.8A TO18	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
JANS2N2222AUB	文件：142.92 Kbytes Page：6 Pages	ELECTRICALCHARACTERISTICS(TA=25째C,unlessotherwisenoted) NPNSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/255	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTX2N2222A	文件：90.9 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSwitchingTransistor SmallSignalSwitchingTransistor NPNSilicon Features •MIL−PRF−19500/255Qualified •AvailableasJAN,JANTX,andJANTXV	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
JANTX2N2222AUB	文件：142.92 Kbytes Page：6 Pages	TECHNICALDATASHEETNPNSILICONSWITCHINGTRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTX2N2222AUB	文件：58.65 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONSWITCHINGTRANSISTOR NPNSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/255	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTXV2N2222A	文件：90.9 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSwitchingTransistor SmallSignalSwitchingTransistor NPNSilicon Features •MIL−PRF−19500/255Qualified •AvailableasJAN,JANTX,andJANTXV	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSR2N2222AUB	文件：781.72 Kbytes Page：7 Pages	RadHardNPNSiliconSwitchingTransistorScreenedperMIL-PRF-19500&ESCC22900 DESCRIPTION ThisRHAlevelhighspeedswitchingNPNtransistor,2N2222AinaUBorUBCceramic package,isidealtodrivemanyhigh-reliabilityapplications.Thisdeviceisconstructedand screenedtoaJANSRperformancelevelwithradiationtestmethod1019waferlotacceptance conductedona	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
P2N2222	文件：86.08 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
P2N2222	文件：238.53 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
P2N2222	文件：245.8 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS ComplementarySiliconTransistorsForSwitchingAndLinearApplications DCAmplifier&DriverForIndustrialApplications.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
P2N2222A	文件：86.08 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
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P2N2222A	文件：165.06 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
P2N2222AG	文件：165.06 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SF_2N2222AXCSM	文件：10.63 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedLCC1CeramicSurfaceMountPackageforHighReliabilityApplications	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
ST2N2222	文件：218.66 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitsDCcurrentgain.Ascomplementary typethePNPtransistorST2N2907andST 2N2907Aarerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
ST2N2222A	文件：218.66 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitsDCcurrentgain.Ascomplementary typethePNPtransistorST2N2907andST 2N2907Aarerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
TS2N2222A	文件：44.03 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeNPNTransistor BVCEO=40V Ic=600mA VCE(SAT),=0.2V(typ.)@Ic/Ib=500mA/50mA Features ◇DriverstageofAFamplifier. ◇Generalpurposeswitchingapplication Structure ◇Epitaxialplanartype.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS2N2222ACXRF	文件：44.03 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeNPNTransistor BVCEO=40V Ic=600mA VCE(SAT),=0.2V(typ.)@Ic/Ib=500mA/50mA Features ◇DriverstageofAFamplifier. ◇Generalpurposeswitchingapplication Structure ◇Epitaxialplanartype.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

产品属性

产品编号：
JANS2N2222AL
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/255
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18（TO-206AA）
描述：
TRANS NPN 50V 0.8A TO18

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	JANS2N2222AL	Microchip Technology	24+	TO-206AA,TO-18-3 金属罐	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	JANS2N2222AL	Microchip Technology	24+	TO-206AA,TO-18-3 金属罐	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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