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JANS1N5712UB/TR

Package:4-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

MICROCHIP

微芯科技

1N5712

Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications

Description The 1N5711, 1N5712, 5082-2800/10/11 are passivated Schottky barrier diodes which use a patented “guard ring” design to achieve a high breakdown voltage. Packaged in a low cost glass package, they are well suited for high level detecting, mixing, switching, gating, log or A-D conv

文件:56.87 Kbytes 页数:6 Pages

HP

安捷伦

1N5712

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

FEATURES ◇ Metal-to-silicon junction ◇ High breakdown voltage ◇ Low turn-on voltage ◇ Ultrafast switching speed ◇ Prmarly intended for high level UHF/VHF detection and pulse applications with broad dynamic range

文件:54.13 Kbytes 页数:3 Pages

BILIN

银河微电

1N5712UBCC

SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT Qualified per MIL-PRF-19500/444

文件:55.97 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    JANS1N5712UB/TR

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/444

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    UB

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

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更多JANS1N5712UB/TR供应商 更新时间2026-7-27 11:06:00