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JAN2N3767 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/518 文件:59.19 Kbytes 页数:3 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
JAN2N3767 | NPN Transistor | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
JAN2N3767 | Package:TO-213AA,TO-66-2;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 4A TO66 | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP | |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/518 文件:59.19 Kbytes 页数:3 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | ||
NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/518 文件:59.19 Kbytes 页数:3 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package 文件:11.92 Kbytes 页数:1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB |
产品属性
- 产品编号:
JAN2N3767
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/518
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2.5V @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 500mA,5V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-213AA,TO-66-2
- 供应商器件封装:
TO-66(TO-213AA)
- 描述:
TRANS NPN 80V 4A TO66
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT/RCA |
24+ |
TO-66 |
2541 |
询价 | |||
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
15000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
Microsemi |
1941+ |
N/A |
909 |
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询价 | ||
MSC |
2447 |
20 |
100500 |
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MICROSEMI |
25+ |
TO-66 |
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询价 | ||
Microsemi |
22+ |
NA |
909 |
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询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
TO-66 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Microchip |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Microchip Technology |
25+ |
TO-213AA TO-66-2 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
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