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JAN2N3879	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon Power 75V, 7A This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N3879 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/526. The device package outline is a modified TO-213AA (similar to a TO-66). The device package outline is a modified TO-213AA (similar to a TO-66).;	Microchip 微芯科技	Microchip
JAN2N3879	文件：51.83 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR 文件：51.83 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JAN2N3879	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-213AA，TO-66-2；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 75V 7A TO66	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
JANTX2N3879	文件：62.71 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/526 文件：62.71 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JANTXV2N3879	文件：62.71 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/526 文件：62.71 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

产品属性

产品编号：
JAN2N3879
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/526
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 400mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
25mA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，5V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
描述：
TRANS NPN 75V 7A TO66

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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