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JAN2N1711

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/225

文件:59.07 Kbytes 页数:3 Pages

MICROSEMI

美高森美

JAN2N1711

NPN Silicon Low-Power 30V to 60V, 0.5A

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, low-power, 2N1711 and 2N1890 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/225. The device packages for the encapsulated device types are as follows: (2N1711 and 2N1890) Three terminal round metal can TO-205AD (formerly TO-39) and TO-205-AA (formerly TO-5).;

Microchip

微芯科技

JAN2N1711

Package:TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 30V 0.5A TO5

MICROCHIP

微芯科技

JAN2N1711S

Package:TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 30V 0.5A TO39

MICROCHIP

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    JAN2N1711

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/225

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 15mA,150mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AA,TO-5-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-5

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.5A TO5

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更多JAN2N1711供应商 更新时间2026-1-17 8:01:00