JAN2N1482数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
JAN2N1482 |
参数属性 | JAN2N1482 封装/外壳为TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 55V 1.5A TO5 |
功能描述 | NPN Transistor |
封装外壳 | TO-205AA,TO-5-3 金属罐 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
原厂标识 | Microchip |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 11:39:00 |
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JAN2N1482规格书详情
描述 Description
This family of 2N1479 through 2N1482 mediuThis family of 2N1479 through 2N1482 medium-power, planar transistors is military qualified to the JAN level for high-reliability applications.m-power, planar transistors is military qualified to the JAN level for high-reliability applications.
简介
JAN2N1482属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JAN2N1482晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
JAN2N1482
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/207
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
750mV @ 10mA,200mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
5µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
35 @ 200mA,4V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AA,TO-5-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-5
- 描述:
TRANS NPN 55V 1.5A TO5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
JAN2N1485 |
37 |
37 |
询价 | ||||
MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
CAN |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
MSC |
24+ |
CAN3 |
80000 |
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询价 | ||
MICROSEMI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
MICROSEMI |
24+ |
CAN |
4650 |
询价 | |||
MICROSEMI |
24+ |
SMD |
46 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
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CAN3 |
67500 |
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BGA |
3647 |
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原装 |
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