JAN2N1480中文资料NPN Transistor数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
JAN2N1480 |
| 参数属性 | JAN2N1480 封装/外壳为TO-205AA，TO-5-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 55V 1.5A TO5 |
| 功能描述 | NPN Transistor |
| 封装外壳 | TO-205AA，TO-5-3 金属罐 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 10:38:00 |
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JAN2N1480规格书详情
描述 Description
This family of 2N1479 through 2N1482 medium-power, planar transistors is military qualified to the JAN level for high-reliability applications.m-power, planar transistors is military qualified to the JAN level for high-reliability applications.
简介
JAN2N1480属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的JAN2N1480晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
JAN2N1480
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-S-19500/207
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
750mV @ 20mA，200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 200mA，4V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-5
- 描述：
TRANS NPN 55V 1.5A TO5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
CAN |
11190 |
原装正品 |
询价 | ||
Microsemi |
1941+ |
N/A |
909 |
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Microsemi |
22+ |
NA |
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询价 | ||
24+ |
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58000 |
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MSC |
专业铁帽 |
CAN3 |
1000 |
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MOT |
24+ |
CAN3 |
1047 |
询价 | |||
14+;13+;1525+ |
CAN |
372 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
RCA |
22+ |
5000 |
询价 | ||||
Microchip Technology |
25+ |
TO-205AA TO-5-3 金属罐 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
23+ |
CAN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
