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JAN1N5617US数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

JAN1N5617US

参数属性

JAN1N5617US 封装/外壳为SQ-MELF,A;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

功能描述

Power Rectifier, Fast - 100-500ns

封装外壳

SQ-MELF,A

制造商

Sensitron SENSITRON SEMICONDUCTOR

数据手册

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更新时间

2025-8-7 18:18:00

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JAN1N5617US规格书详情

描述 Description

400 VOLT, 0.75 AMP, 150 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-1 PACKAGE.
Electrical Characteristics : (All parameters are at Tc = 25°C unless otherwise specified)RATINGSYMBOLMAXUNITSPeak Inverse VoltagePIV400VoltsMaximum Forward Voltage @TA = 25°C Vf1.6 @ 3VoltsMaximum DC Output Current (TC = 100°C)Io0.75AmpsPeak Single Cycle Surge Current tp = 8.3 msecIFSM25AmpsMaximum Reverse Recovery Time (see datasheet for conditions)Trr150nsecMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 25°CIrr0.5µAMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 125°CIrrmAMaximum Thermal ResistanceRθJC10°C/WMaximum Operating And Storage Temperature RangeTop/stg-65 to +175°CMechanical Outline:MELF-1 Request QuoteDisclaimer

技术参数

  • 产品编号:

    JAN1N5617US

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/429

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF,A

  • 供应商器件封装:

    D-5A

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

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