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JAN1N5616US数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
JAN1N5616US规格书详情
描述 Description
400 VOLT, 0.75 AMP, 2000 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-1 PACKAGE.
Electrical Characteristics : (All parameters are at Tc = 25°C unless otherwise specified)RATINGSYMBOLMAXUNITSPeak Inverse VoltagePIV400VoltsMaximum Forward Voltage @TA = 25°C Vf1.3 @ 3VoltsMaximum DC Output Current (TC = 100°C)Io0.75AmpsPeak Single Cycle Surge Current tp = 8.3 msecIFSM30AmpsMaximum Reverse Recovery Time (see datasheet for conditions)Trr2000nsecMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 25°CIrr0.5µAMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 125°CIrrmAMaximum Thermal ResistanceRθJC13°C/WMaximum Operating And Storage Temperature RangeTop/stg-65 to +175°CMechanical Outline:MELF-1 Request QuoteDisclaimer
技术参数
- 产品编号：
JAN1N5616US
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/427
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SQ-MELF，A
- 供应商器件封装：
D-5A
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 200°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
1948+ |
DO-41 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
21+ |
NA |
1820 |
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询价 | ||
VISHAY |
08+ |
DO-41 |
1462 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
NA |
636 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 | ||
SEMT |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
MICROSEMI |
24+ |
SMD |
42 |
“芯达集团”专营军工百分之百原装进口 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
MICROSEMI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
Microsemi |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
MSC |
专业军工 |
NA |
1000 |
只做原装正品军工级部分订货 |
询价 |
