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JAN1N5551US数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
JAN1N5551US规格书详情
描述 Description
400 VOLT, 2 AMP, 2000 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 301 PACKAGE.
Electrical Characteristics : (All parameters are at Tc = 25°C unless otherwise specified)RATINGSYMBOLMAXUNITSPeak Inverse VoltagePIV400VoltsMaximum Forward Voltage @TA = 25°C Vf1.2 @ 9VoltsMaximum DC Output Current (TC = 100°C)Io2AmpsPeak Single Cycle Surge Current tp = 8.3 msecIFSM100AmpsMaximum Reverse Recovery Time (see datasheet for conditions)Trr2000nsecMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 25°CIrr1µAMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 125°CIrrmAMaximum Thermal ResistanceRθJC22°C/WMaximum Operating And Storage Temperature RangeTop/stg-65 to +175°CMechanical Outline:301 Request QuoteDisclaimer
技术参数
- 产品编号：
JAN1N5551US
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/420
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
3A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SQ-MELF，B
- 供应商器件封装：
D-5B
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UNI |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
MICROSEMI |
24+ |
SMD |
1680 |
MICROSEMI专营品牌进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
MICROSEMI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
Microsemi |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||||
DBV |
新 |
174 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
Microsemi/美高森美 |
专业军工 |
NA |
1000 |
只做原装正品军工级部分订货 |
询价 | ||
SEMTECH |
1706+ |
DMET3ASTD600V |
5800 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
Microchip Technology |
25+ |
D-5B |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
