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JAN1N4150-1

Diode 50V, 200mA Through Hole DO-204AH (DO-35)

Missing 1N4150-1 Available in JAN, JANTX, AND JANTXV per MIL-PRF19500/231.\n Switching diode.\n Metallurgically bonded.\n Hermetically sealed.\n Double plug construction.;

Microchip

微芯科技

JAN1N4150-1

Package:DO-204AH,DO-35,轴向;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

MICROCHIP

微芯科技

JAN1N4150-1/TR

Package:DO-204AH,DO-35,轴向;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SIGNAL/COMPUTER DIODE

MICROCHIP

微芯科技

1N4150-1

SWITCHING DIODE

DESCRIPTION These popular 1N4149, 1N4151, 1N4154 and 1N4446 – 1N4449 series of JEDEC registered switching/signal diodes are available with internal metallurgical bonded construction. These small low capacitance diodes, with very fast switching speeds, are hermetically sealed and bonded into a dou

文件:93.39 Kbytes 页数:1 Pages

MICROSEMI

美高森美

1N4150-1

Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package

文件:78.84 Kbytes 页数:1 Pages

MICROSEMI

美高森美

1N4150-1

200mA Low Power, Switching

文件:88.4 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    JAN1N4150-1

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/231

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

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更多JAN1N4150-1供应商 更新时间2026-2-9 11:08:00