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IXYX100N120C3分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXYX100N120C3
厂商型号

IXYX100N120C3

参数属性

IXYX100N120C3 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247

功能描述

1200V XPTTM IGBTs GenX3
IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247

文件大小

208.23 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-27 16:16:00

IXYX100N120C3规格书详情

IXYX100N120C3属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXYX100N120C3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXYX100N120C3

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,100A

  • 开关能量:

    6.5mJ(开),2.9mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    32ns/123ns

  • 测试条件:

    600V,100A,1 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 供应商器件封装:

    PLUS247™-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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