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IXYP20N65C3D1M分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXYP20N65C3D1M |
| 参数属性 | IXYP20N65C3D1M 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 18A 50W TO220 |
| 功能描述 | Optimized for 20-60kHz Switching |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
193 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | IXYS |
| 中文名称 | 艾赛斯 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-2 15:01:00 |
| 人工找货 | IXYP20N65C3D1M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXYP20N65C3D1M规格书详情
IXYP20N65C3D1M属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXYP20N65C3D1M晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IXYP20N65C3D1M
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
GenX3™, XPT™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
- 开关能量：
430µJ（开），350µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
19ns/80ns
- 测试条件：
400V，20A，20 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 650V 18A 50W TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
2022+ |
TO-220AB |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
NA |
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IXYS/Littelfuse |
23+ |
TO-220 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
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24+ |
N/A |
65000 |
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IXYS(艾赛斯) |
23+ |
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7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
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IXYS |
22+ |
NA |
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询价 | ||
Littelfuse/IXYS |
23+ |
TO-220 |
600 |
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 |
