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IXYP20N65B3D1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXYP20N65B3D1 |
| 参数属性 | IXYP20N65B3D1 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP |
| 功能描述 | Optimized for 5-30kHz Switching |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
194.03 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | IXYS |
| 中文名称 | 艾赛斯 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 14:17:00 |
| 人工找货 | IXYP20N65B3D1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXYP20N65B3D1规格书详情
IXYP20N65B3D1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXYP20N65B3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IXYP20N65B3D1
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
XPT™, GenX3™
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，20A
- 开关能量：
500µJ（开），450µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
12ns/103ns
- 测试条件：
400V，20A，20 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
NA |
3468 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-220 |
60000 |
询价 | |||
IXYS/LITTELFUSE |
2016 |
TO-220 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
67000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Littelfuse/IXYS |
23+ |
TO-220 |
600 |
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 |
询价 |
