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IXYN120N65B3D1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXYN120N65B3D1 |
| 参数属性 | IXYN120N65B3D1 封装/外壳为SOT-227-4，miniBLOC；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT MODULE DISC IGBT SOT-227UI |
| 功能描述 | International Standard Package |
| 文件大小 |
222.47 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-16 19:00:00 |
IXYN120N65B3D1规格书详情
IXYN120N65B3D1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXYN120N65B3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
IXYN120N65B3D1
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
GenX3™, XPT™
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，100A
- 开关能量：
1.34mJ（开），1.5mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/168ns
- 测试条件：
400V，50A，2 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装：
SOT-227B
- 描述：
IGBT MODULE DISC IGBT SOT-227UI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
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IXYS |
23+ |
SOT227B |
9000 |
原装正品，支持实单 |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-3P |
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IXYS |
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SOT227B |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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IXYS |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
SOT-227-4 |
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IXYS |
18+ |
TO-3P |
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IXYS |
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IXYS |
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原厂封装 |
5000 |
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