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IXYN120N65C3D1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXYN120N65C3D1 |
| 参数属性 | IXYN120N65C3D1 封装/外壳为SOT-227-4，miniBLOC；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT MOD DISC XPT-GENX3 SOT227UI |
| 功能描述 | International Standard Package |
| 封装外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 文件大小 |
226.03 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | IXYS |
| 中文名称 | 艾赛斯 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 19:00:00 |
| 人工找货 | IXYN120N65C3D1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXYN120N65C3D1规格书详情
IXYN120N65C3D1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXYN120N65C3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IXYN120N65C3D1
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
GenX3™, XPT™
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，100A
- 开关能量：
1.25mJ（开），500µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/127ns
- 测试条件：
400V，50A，2 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装：
SOT-227B
- 描述：
IGBT MOD DISC XPT-GENX3 SOT227UI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
Module |
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