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IXYJ20N120C3D1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXYJ20N120C3D1
厂商型号

IXYJ20N120C3D1

参数属性

IXYJ20N120C3D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 21A 105W TO247

功能描述

1200V XPTTM IGBT
IGBT 1200V 21A 105W TO247

文件大小

224.45 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 17:58:00

IXYJ20N120C3D1规格书详情

IXYJ20N120C3D1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXYJ20N120C3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXYJ20N120C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    托盘

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    1.3mJ(开),500µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    20ns/90ns

  • 测试条件:

    600V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    ISO247

  • 描述:

    IGBT 1200V 21A 105W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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