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IXYH82N120C3分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | IXYH82N120C3 | 
| 参数属性 | IXYH82N120C3 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD | 
| 功能描述 | 1200V XPT IGBT GenX3 | 
| 封装外壳 | TO-247-3 | 
| 文件大小 | 173.29 Kbytes | 
| 页面数量 | 6 页 | 
| 生产厂商 | IXYS | 
| 中文名称 | 艾赛斯 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 18:53:00 | 
| 人工找货 | IXYH82N120C3价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
IXYH82N120C3规格书详情
IXYH82N120C3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXYH82N120C3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:IXYH82N120C3 
- 制造商:IXYS 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 
- 系列:GenX3™, XPT™ 
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,82A 
- 开关能量:4.95mJ(开),2.78mJ(关) 
- 输入类型:标准 
- 25°C 时 Td(开/关)值:29ns/192ns 
- 测试条件:600V,80A,2 欧姆,15V 
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:TO-247-3 
- 供应商器件封装:TO-247(IXYH) 
- 描述:IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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