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IXYH8N250CV1HV分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXYH8N250CV1HV |
| 参数属性 | IXYH8N250CV1HV 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 2500V 29A TO247HV |
| 功能描述 | High Voltage XPTTM IGBT w/ Diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
220.78 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | IXYS |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 18:28:00 |
| 人工找货 | IXYH8N250CV1HV价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXYH8N250CV1HV规格书详情
IXYH8N250CV1HV属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXYH8N250CV1HV晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IXYH8N250CV1HV
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
XPT™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4V @ 15V，8A
- 开关能量：
2.6mJ（开），1.07mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
11ns/180ns
- 测试条件：
1250V，8A，15 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247（IXYH）
- 描述：
IGBT 2500V 29A TO247HV
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
11+ |
TO-264 |
19 |
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询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
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IXYS/艾赛斯 |
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NA |
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原装正品 |
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IXYS/艾赛斯 |
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