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IXYH30N170C数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXYH30N170C

参数属性

IXYH30N170C 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB

功能描述

XPT™ 高电压IGBT

封装外壳

TO-247-3

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 16:55:00

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IXYH30N170C规格书详情

特性 Features

• XPT™薄晶圆技术
• 较低的通态电压VCE(sat)
• 代加工快速恢复二极管
• 正温度系数VCE(sat)
• 国际标准尺寸高压封装

应用 Application

• 脉冲电路
• 激光和X射线发生器
• 高压电源
• 高压检测设备
• 电容放电电路
• AC开关

技术参数

  • 制造商编号

    :IXYH30N170C

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • VCES - Collector-Emitter Voltage (V)

    :1700

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :100

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :4

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :95

  • Configuration

    :Single

  • Package Type

    :TO-247

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.16

  • Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ)

    :3.5

  • Collector Current @ 110 ℃ (A)

    :30

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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