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IXYH12N250CV1HV数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXYH12N250CV1HV规格书详情
特性 Features
• XPT™薄晶圆技术
• 较低的通态电压VCE(sat)
• 代加工快速恢复二极管
• 正温度系数VCE(sat)
• 国际标准尺寸高压封装
应用 Application
• 脉冲电路
• 激光和X射线发生器
• 高压电源
• 高压检测设备
• 电容放电电路
• AC开关
技术参数
- 制造商编号
：IXYH12N250CV1HV
- 生产厂家
：Littelfuse
- VCES - Collector-Emitter Voltage (V)
：2500
- Collector Current @ 25 ℃ (A)
：28
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
：4.5
- Fall Time [Inductive Load] (ns)
：136
- Configuration
：Copack (FRED)
- Package Type
：TO-247HVU
- Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)
：0.48
- Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ)
：1.95
- Collector Current @ 110 ℃ (A)
：12
- Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)
：0.8
- Forward Current @ 110 ℃ (A)
：14
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