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IXTR120P20T中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
IXTR120P20T
- 功能描述:
MOSFET TrenchP Power MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
25+ |
ISOPLUS24 |
12300 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-220 |
64 |
全新原装 研究所指定供货商 |
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IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
ISOPLUS247trade |
59 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-220 |
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IXYS |
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TO-247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS/Littelfuse |
23+ |
ISOPLUS247 |
15800 |
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询价 | ||
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BGA |
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IXYS |
24+ |
TO-220 |
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IXYS |
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